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快恢复二极管什么意思？
快恢复二极管：
可理解为快速二极管，高频二极管，通常用在开关电源做整流二极管，逆变陵姿祥电路做续流、反压吸收二极管。
二极管是单PN结半导体器件，具有单向导电特性，当施加正向电压时导通、反向电压时截止。当电压翻转，二极管从正向尺搏导电转换为反向截止状态需要一段时间才能完成，这段时间称为反向恢复时间。
根据芯片工艺不同，反向恢复时间也不同，通常分为四大类：
1、普通整流二极管，反向恢复时间大于 500nS（纳秒）；
2、快恢复整流二极管，反向恢复时间 150-500nS（纳秒）；
3、高效率整流二极管，反向恢复时间 50-100nS（纳秒）；
4、超快速整流册敬二极管，反向恢复时间 15-35nS（纳秒）；
5、肖特基整流二极管，理论上无反向恢复时间，实际小于 10nS（纳秒）。
什么是快恢复二极管？
一、快恢复二极管简称FRD（反向恢复时间很短的二极管），也是一种高速开关二极管，这种二极管的开关特性好，反向恢复时间很短，正向压降低，反向击穿电压较高（耐压值较高），主要闭知悔应用于开关电源、脉宽调制电路PWM以及变频等电子电猛档路中。
二、肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管。肖特基二极管属于低功耗、轿正超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几个纳秒（2-10ns纳秒），正向压降仅0.4v（0.4--1.0V）左右，而整流电流却克达到几千安。而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。
三、肖特基二极管的恢复时间比快恢复二极管小一百倍左右，肖特基二极管的反向恢复时间大约为几纳秒！前者的优点还有低功耗，超高速！电特性当然都是二极管。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
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什么是快恢复二极管，它有什么特点，应用在哪些场合？
一、什么是快恢复二极管
快恢复二极管通常用于较高频率的整流和续流的产品。一般用于电源模块的输入部份，频率不高，不必用快恢复二极管，用普通二极管即可。
相对二极管来说，加在其两端的电压由正向变到反向时，响应时间一般很短，而相反的由反向变正向时其时间相对较长，此即为反向恢复时间，当二极管用做高频整流等时，要求反向恢复时间很短，此时就需要快恢复二极管（FRD），更高的超快恢复二极管（SRD），开关则悉二极管，最快的是肖特基管（其原理不同于以上几个二极管）。
二、快恢复二极管特性
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
三清肢、快恢复二极管封装类型特点
通常，5~20A的快恢复二极管管采用TO–220FP塑答盯世料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO–3P塑料封装，5A以下的快恢复二极管则采用DO–41、DO–15或DO–27等规格塑料封装。
型号 MP020-5GS-Z 的特点
湿气敏感性等级（MSL）:2（1 年）
制造商标准提前期:8 周
系列:-
包装:管件
零件状态:在售
输出隔离:隔离
内部开关:是
击穿电压:700V
拓扑:回扫
电压-启动:17.3V
电源电压（Vcc/Vdd）:6.6V~28V
占空比:-
开关频率:120Hz~75kHz
功率:8W
故障保护:限流，开路，过载，超温，过压
控制特性:-
工作温度:-40°C~125°C（TJ）
封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）7引线
供应商器件封装:8-SOIC
安装类型:表面贴装(SMT)
ES1J超快恢复二极管和ES1D超快恢复二极管的区别是什么?
二极管RS1M与ES1J的区别。
1、时间不同：ES1J是普通的快恢复，ES1D是超快恢复，恢复时间差的比较大。快恢复二极管的恢复时间在ms级，超快速二极管的恢复时间在ns级，这就是其主要区别。
2、价格不同：在价格上ES1J超快恢复二极管比ES1D超快恢复二极管要便宜的多。
3、浓度不同：ES1J超快恢复二极管和ES1D超快恢复二极管区别在于普通二极管主要是依赖其静态特性即低压降对于二极管其阳极浓度要大于阴极浓度，这一点对于快恢复二极管却不适应，快恢复二极管主要是考虑其动态特性，即反向恢复过程。
4、效果不同：而对于快恢复二极管如果二极管阴极浓度比阳极浓度低的情况下很有可能发生这种情况：
当阴极的等离子已被完全耗尽时，而n－区域中还有大量的剩余载流子，结果会在阴极发射极形成耗尽层和电场，即阴极耗尽层在阳极发射极耗尽之前就已经形成。
那么随后亮岁两个空间电荷区相互接近对方，消耗n－区域剩余的载流子载流子，当两个耗尽层相遇时，此时n－区域剩余的载流子将被消耗完，电流瞬间变为零。
扩展资料：
超快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备高频化（20khz以上）和高频设备固态化发展不可或缺的重要器件。
因为随着装置工作开关频率的提高，若没有fred给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、雹段箝位、隔离、输出和输入整流器，那么igbt、功率mosfet等开关器件就不能发挥其功能和独特作用，这是由fred关断特性参数的作用所致。
最佳参数的fred与高频开关器件协调工作，使高频逆变电路内因开关器件换相所引起的过电压尖峰、高频敬肆睁干扰电压及emi降至最低，使开关器件的功能得到充分发挥。
参考资料：百度百科-超快恢复二极管